力士科技晶圓以自行設計之獨家技術轉移至合作晶圓廠 投片生產為主，全程由謝總顧問以多年專業經驗執行監 督及調整製程，完全掌控產品良率及縮短生產週期;多 數競爭品牌因採外購晶圓方式，所以對產品品質及生產 週期無法掌握，喪失優勢。

與其他競爭者比較，力士科技使用同業中最先進之8”晶 圓、0.18μm 製程量產，多數競爭者目前仍使用6”晶圓、 0.35/0.25μm製程，在成本控制上具備更高的優勢 。採 用最簡化製程技術，產品生產良率均能保證大於95%。

可依客戶應用線路設計之電性需求，開發功能更優化之 產品。

開發MSD專利，將MOSFET、Schottky、ESD Diode 三合一 整合，除技術領先其它廠商外，更加符合客戶應用需求。

 完成開發量產業屆最低內阻產品(RDS(ON) =1.6mΩ(Max.), 1.2mΩ(Typ.) )，提高效率並減少耗能。

 已規劃完成0.13μm製程技術於未來之產品線上。

 已進行申請數十項溝槽式MOSFET及IGBT製程與元件專利。